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Vacuum Melting Electronic Grade Copper SiC Graphite Crucible for Semiconductor Target Material
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Chine |
| Nom de marque: | Baidun |
| Numéro de modèle: | VM-EG400 |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 PIÈCES |
|---|---|
| Prix: | Negotiate |
| Détails d'emballage: | Exporter l'emballage en bois |
| Délai de livraison: | 25-30 jours |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 2000 pièces/mois |
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Détail Infomation |
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| Matériel: | Carbure de silicium et graphite | Densité: | 2.21-2.25 g / cm3 |
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| Forme: | Cylindrique | Résistance à la température: | Jusqu'à 1650°C |
| Processus: | Fusion sous vide | Application: | Cuivre de qualité électronique pour cibles semi-conductrices |
| Pureté: | 6N (99,9999%) | Atmosphère: | Vide poussé |
| Mettre en évidence: | electronic grade copper melting crucible,SiC graphite crucible for semiconductors,vacuum melting crucible for target material |
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Description de produit
Vacuum Melting Electronic Grade Copper SiC Graphite Crucible
Ultra-high purity crucible for vacuum melting of 6N (99.9999%) electronic grade copper used in semiconductor sputtering targets. Minimal outgassing and zero contamination design.
Key Features
- Vacuum compatible ultra-low outgassing
- 6N purity retention capability
- Semiconductor grade material quality
- Clean melting for target manufacturing
- Batch traceability documentation
Applications
Semiconductor sputtering target production, electronic grade copper melting, high-purity copper for chip manufacturing, PVD target material preparation.
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